多孔氮化硅TEM載網(wǎng)以高純單晶硅為基底，超薄氮化硅（10~50nm）為支撐膜。這種設(shè)計(jì)不僅確保了載網(wǎng)的高強(qiáng)度和穩(wěn)定性，還使其具有優(yōu)異的電子束穿透性和成像質(zhì)量。多孔氮化硅TEM載網(wǎng)與傳統(tǒng)銅網(wǎng)相比，使用的超薄氮化硅膜不含碳元素，可有效避免積碳，尤其適合球差原子分辨表征。超薄氮化硅膜更耐酸耐高溫，適用于酸性條件下制備樣品，及1000攝氏度的高溫環(huán)境。具有耐電子束輻照，電子束穿透率高，成像背景均勻和噪音小等優(yōu)點(diǎn)?？梢栽诓煌治鰞x器間轉(zhuǎn)移分析，如TEM，AFM，XRD，EXAFS，Ra...

透射電鏡力電原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、電復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)。該系統(tǒng)結(jié)合了多種透射電鏡(TEM)的分析模式，以實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品在真空環(huán)境下隨電場(chǎng)、施加力變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的結(jié)構(gòu)和成分演化的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，能夠?yàn)檠芯考{米尺度材料及器件提供電學(xué)性能分析支撐。透射電鏡力電原位系統(tǒng)的應(yīng)用如下：1.材料科學(xué)：用于研究材料的晶體結(jié)構(gòu)、晶格缺陷、晶界和界面，以及材料的相變和相互作用。這對(duì)于新材料的開(kāi)發(fā)與性能優(yōu)化具有重要...

透射電鏡4孔樣品桿是一種在透射電子顯微鏡(TEM)中使用的關(guān)鍵部件，它允許研究人員同時(shí)將最多4個(gè)樣品置入透射電鏡中進(jìn)行觀察和分析。與市面常見(jiàn)的3孔樣品桿相比，透射電鏡4孔樣品桿大幅提高了透射電鏡的使用效率?？蓪?shí)現(xiàn)透射電鏡內(nèi)的光電測(cè)量或光譜學(xué)表征研究。透射電鏡4孔樣品桿的主要特點(diǎn)：1、高效性：可同時(shí)放置4個(gè)樣品，顯著提高實(shí)驗(yàn)效率。2、高精度：采用超高精度的旋鈕換樣方式，幫助降低漂移率，提高成像質(zhì)量。3、創(chuàng)新設(shè)計(jì)：創(chuàng)新的彈性銅片固定方式和超高精度旋鈕，進(jìn)一步減小漂移，提升成像效果...

高真空存桿儀是一種專為透射電子顯微鏡(TEM)樣品桿設(shè)計(jì)的設(shè)備，它主要用于為樣品桿提供高真空的存儲(chǔ)環(huán)境，以避免樣品桿在存儲(chǔ)過(guò)程中吸附濕氣、納米纖維等雜質(zhì)，從而減少對(duì)TEM真空腔室的污染，該產(chǎn)品的設(shè)計(jì)有便捷的取放機(jī)制，使得研究人員可以輕松地取出和放回樣品桿，提高實(shí)驗(yàn)效率。本公司提供的CHIPNOVA高真空存桿儀的極限真空度為10-6hPa，*多可同時(shí)為6根TEM樣品桿提供高真空存儲(chǔ)環(huán)境，避免暴露在空氣中吸附濕氣及納米纖維等雜質(zhì)，減少樣品桿進(jìn)電鏡后的抽真空時(shí)間，延長(zhǎng)樣品桿使用壽命...

傳統(tǒng)透射電鏡表征技術(shù)只能得到材料的二維圖像無(wú)法準(zhǔn)確直觀地表征材料的三維空間構(gòu)造，近年來(lái)興起的三維重構(gòu)技術(shù)可解決該問(wèn)題，它是利用電子顯微技術(shù)與計(jì)算機(jī)圖像處理結(jié)合形成的三維重構(gòu)方法，已漸漸在納米材料、生物科學(xué)領(lǐng)域得到重要應(yīng)用。透射電鏡三維重構(gòu)樣品桿是用于透射電子顯微鏡(TEM)中的一種關(guān)鍵設(shè)備，主要用于獲取材料的三維結(jié)構(gòu)信息。透射電鏡三維重構(gòu)樣品桿通過(guò)一系列不同傾斜角獲得樣品的二維平面成像信息，然后使用專門的軟件處理這些二維圖像，然后獲得樣品的三維立體成像信息。這種技術(shù)對(duì)于材料科...